Manyetik alınganlık

Bakınız Bağıl geçirgenlik

Hacimsel manyetik alınganlık ${\displaystyle \chi _{v}}$ ile gösterilir (genelde başitçe ${\displaystyle \chi }$, bazen de elektriksel alınganlıktan ayırt etmek için ${\displaystyle \chi _{m}}$ — manyetik) ve SI birimleriyle aşağıdaki bağıntıyla tanımlanır

${\displaystyle \mathbf {M} =\chi _{v}\mathbf {H} }$

M materyalin manyetizasyonudur (birim hacim başına manyetik dipol moment), Amper/metre birimindedir, ve

H manyetik alan kuvvetidir, yine Amper/metre birimindedir.

manyetik indüksiyon B ile H aşağıdaki şekilde birbirleriyle bağlantılıdırlar

${\displaystyle \mathbf {B} \ =\ \mu _{0}(\mathbf {H} +\mathbf {M} )\ =\ \mu _{0}(1+\chi _{v})\mathbf {H} \ =\ \mu \mathbf {H} }$

burada μ₀ manyetik sabittir (Fiziksel sabitler tablosuna bakınız), ve materyal için bağıl geçirgenlik ${\displaystyle (1+\chi _{v})}$ ile ifade edilir. Sonuç olarak hacimsel manyetik alınganlık ${\displaystyle \chi _{v}}$ ve manyetik geçirgenlik ${\displaystyle \mu }$ arasındaki bağıntı aşağıdaki formülle ifade edilir:

${\displaystyle \mu =\mu _{0}(1+\chi _{v})\,}$ .

Bazen yardımcı bir nicelik olan Tesla birimindeki manyetizasyon şiddeti (manyetik polarizasyon J) aşağıdaki şekilde tanımlanır

${\displaystyle \mathbf {I} =\mu _{0}\mathbf {M} \,}$ .

Bu ifade manyetik olayları tanımlamada sıkça kullanılmakta olan M ve H ifadelerine alternatif olarak I ve B ifadelerinin kullanılmasına olanak sağlar.